论文部分内容阅读
将碳基材料应用于太阳电池半导体器件的研究已经在国内外得到重视和开展。采用离子束溅射反应沉积技术，在P型绒面硅和P型硅基片上沉积出用于制备太阳电池的氮化碳薄膜（a-C：N）。ⅠD/ⅠG比率，ⅠS/ⅠG比率是研究氯化碳薄膜微结构的重要拉曼参数，对这些参数随氮离子束能量的变化进行了研究。能量散射光谱（EDS）和透射电子显微镜（TEM）测试显示随氮离子束能量增大。薄膜中氮原子含量下降，团簇尺寸大幅下降，非晶网络中团簇分布也趋于均匀。用真空热蒸镀工艺在氮化碳／硅异质结的氮化碳薄膜表面镀上一层半透明的铝薄膜，测得AM