室温全电可操作的InAs／GaAs量子点存储器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fdazhyy

【摘要】

：

报道基于高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的InAs／GaAs量子点存储器，它既可以在室温下工作，又可以完全由栅极电压来控制其存储状态．在室温下通过对InAs／GaAs量子点存储器的延滞回线、偏

【作者】

：

杜军王卿璞 Balocco C Song A M

【机构】

：

山东大学物理与微电子学院,SchoolofElectricalandElectronicEngineering

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年2期

【关键词】

：

1nAs/GaAs量子点存储器偏压降温深能级 InAs/GaAs self-assembled quantum dots memory device bi

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报道基于高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的InAs／GaAs量子点存储器，它既可以在室温下工作，又可以完全由栅极电压来控制其存储状态．在室温下通过对InAs／GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试，证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的，而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的．

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