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本文通过对涂胶、曝光等影响线宽参数的工艺进行实验,制定了一套工艺规范,使光刻线宽控制在±10%以内,提高了光刻的工艺水平.
光刻线宽精度控制的研究
【摘 要】
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本文通过对涂胶、曝光等影响线宽参数的工艺进行实验,制定了一套工艺规范,使光刻线宽控制在±10%以内,提高了光刻的工艺水平.
【机 构】
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东北微电子研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2005年2期
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