【摘 要】
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为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题，使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。
【基金项目】
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国家自然科学基金(61504030,11533003,U1731239);广西自然科学基金(2015GXNSFCA139007)资助项目~~
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为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题，使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量，提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度（10~300 K）的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后，非辐射复合平均激活能由（18±3）meV升高到（38±10）meV，对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓，室温下非辐射复
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