一种具有新耐压层结构的IGBT

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guigui1998

【摘要】

：

介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT--低功耗IGBT.新结构用三重扩散的方法在n-单晶片上引入了n+缓冲层.保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时

【作者】

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高琰亢宝位程序

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制学院

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

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2003年7期

【关键词】

：

IGBT 耐压层结构关断损耗仿真制造工艺 low power loss IGBT voltage-sustaining layer turn-off

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介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT--低功耗IGBT.新结构用三重扩散的方法在n-单晶片上引入了n+缓冲层.保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+双层复合的薄耐压层(即薄基区)的优点.计算机仿真得出,新结构IGBT的关断损耗比传统的IGBT减小50%左右.针对LPL-IGBT的创新点--新耐压层结构,我们还进行了优化仿真.

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