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本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。
SiC半导体材料产业发展现状
【摘 要】
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本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材
【机 构】
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中国船舶重工集团公司第七二五研究所厦门材料研究院,
【出 处】
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材料开发与应用
【发表日期】
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2015年03期
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