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本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。
自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术
【摘 要】
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本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,上海200050
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1991年11期
【基金项目】
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其他文献
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