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为薄 filmsof 的免职的稳定的二进制单身的来源先锋( SSP )作文 SnO-GeO 的陶器的半导体被靠近的电路化学药品 vapourdeposition ( CCCVD )综合 method.Elemental 分析和分光镜的技术习惯于 characterizethe precursors.Scanning 电子显微镜学( SEM )和精力散光谱学(版本) employedto 描绘薄 films.Resistivity 大小被进行出现电影 areof 半导体的自然。