【摘 要】
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采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,其光吸收增强的情况.实验结果表明,电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷
【机 构】
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华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京,102206
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采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,其光吸收增强的情况.实验结果表明,电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,不仅可以增加吸收率和加宽吸收谱范围,而且在短波长范围内的吸收高于金属纳米颗粒.对于80 nm和100 nm厚的氢化非晶硅薄膜太阳电池,当达到最大吸收增强比1.60和1.53时,对应的电介质Si3N4纳米柱高度分别为90和95 nm.当Si3N4纳米柱的直径D=160 nm,间距P=240 nm,高度H=90 nm,而氢化非晶硅薄膜太阳电池的厚度在70～120 nm变化时,吸收增强比在厚度为100 nm时达到最大值1.60.总之,可以通过优化Si3N4纳米柱的尺寸来提高电池的转换效率.
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