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本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线,利用扫描隧道显微镜进行观察,采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线的Mn2p和Si2p.结果表明厚度为～0.9nm的MnSi薄膜表面为√3×√3重构,MnSi1.7纳米线长500—1500nm,宽16—18nm,高～3nm.MnSi薄膜的Mn2p1/2和Mn2p3/2峰位与MnSi1.7纳米线相同,均分别为649.7eV和638.7eV.结合能在640—645eV和～653.8eV处的锰氧化合物的Mn2p3/2和Mn2p1/2峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线表面有氧化层形成.相对于纯Si的Si2p谱,两种锰硅化合物的Si2p谱向低结合能方向发生了位移,表明随着锰硅化合物的形成Si的化学环境发生了变化.