【摘 要】
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采用第一性原理对掺杂Sm2O3的Ba0.5Sr0.5Co0.75Fe0.25O3-δ体系的电子结构和空位形成能进行了研究。研究结果表明,Co和Sm的态密度在费米能级附近有较大的态,而Fe则很小,这使
【机 构】
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内蒙古科技大学材料与冶金学院,福州大学化学与化工学院,
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采用第一性原理对掺杂Sm2O3的Ba0.5Sr0.5Co0.75Fe0.25O3-δ体系的电子结构和空位形成能进行了研究。研究结果表明,Co和Sm的态密度在费米能级附近有较大的态,而Fe则很小,这使得Co和Sm离子易于变价,而Fe离子的化合价则基本保持不变。空位形成能随空位数的增多而增大,Sm的掺杂有利于氧空位的形成,且CoVFe比CoVCo型氧空位形成能稍大,这些源于体系的电子结构和局域几何结构。
The electronic structure and vacancy formation energies of the Ba0.5Sr0.5Co0.75Fe0.25O3-δ system doped with Sm2O3 were studied by the first principle. The results show that the density of states of Co and Sm is larger near the Fermi level and Fe is smaller, which makes the Co and Sm ions easy to change their prices, while the valences of Fe ions keep almost unchanged. The formation of vacancies increases with the increase of number of vacancies. The doping of Sm is favorable for the formation of oxygen vacancies, and the formation of CoVFe is slightly larger than the formation of oxygen vacancies of CoVCo. These originate from the electronic structure and local geometry of the system.
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