【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率.利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外
【机 构】
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北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心
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本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率.利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征.实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低.本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系.
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