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利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石（0001）面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光光谱仪（PL）和拉曼光谱仪（Raman）分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×10^8/cm3、3.58×10^8/cm3和5.56×10^8/cm