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利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质谱研究了利用该工艺生长的AlGaAs/InGaAs/GaAs双δ掺杂PHEMT结构材料,获得了较好的材料参数.利用该材料研制器件也有较好的结果.
RHEED优化MBE异质材料生长工艺
【摘 要】
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利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质谱研究了利用该工艺生长的AlGaAs/InGaAs/Ga
【机 构】
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南京大学物理系,南京电子器件研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年10期
其他文献
以Cd(NO3)2·4H2O和Na2SeSO3为原材料,通过微波加热液相化学合成了CdSe,并用XRD和TEM进行了表征.