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对微波单片集成（简称ＭＭＩＣ）双栅ＭＥＳＦＥＴ混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双 ＭＥＳＦＥＴ的理论分析与实验结果，建立了一种栅压调制Ｉ－Ｖ特性的经验模型，推导了双栅ＦＥＴ混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为０．７５ｍｍ×１．５ｍｍＧａＡｓ ＭＭＩＣ双栅ＦＥＴ混频器。