Cl~-离子修饰Ce~(3+)掺杂SiO_2材料发光峰的蓝移

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采用溶胶凝胶技术通过添加Ce(NO3)3制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,进行了不同温度的氯化处理。采用电子能谱、吸收光谱以及荧光光谱对Cl-离子修饰Ce3+掺杂SiO2材料的成分及光学性能进行分析、测试,研究Cl-离子修饰对掺杂SiO2材料中Ce3+离子光学性能的影响。测试结果表明,经过氯化处理不仅可以明显提高Ce3+离子掺杂SiO2材料的发光强度,还可以使发光和激发波长产生明显的变化,发光波长由445 nm蓝移至390 nm,激发波长由326 nm蓝移至290 nm左右。这种转化具有可逆性,将经氯化处理的样品重新在空气中处理后,发光强度减弱,发光和激发波长也恢复到氯化处理前的位置。 The nano-SiO2 materials doped with Ce3 + ions were prepared by sol-gel technique by adding Ce (NO3) 3 and chlorinated at different temperatures. The composition and optical properties of Cl3-doped Ce3 + -doped SiO2 materials were analyzed by electron spectroscopy, absorption spectroscopy and fluorescence spectroscopy. The effects of Cl- ion modification on the optical properties of Ce3 + ions were investigated. The results show that the chlorination can not only increase the luminescence intensity of Ce3 + doped SiO2, but also change the luminescence and excitation wavelength obviously. The luminescence wavelength shifts from 445 nm to 390 nm and the excitation wavelength from 326 nm Blue shifted to about 290 nm. This conversion is reversible, chlorinated samples re-treated in the air, weakened the luminous intensity, luminescence and excitation wavelength is also restored to the pre-chlorination position.
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