【摘 要】
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文章提出了一种采用标准CMOS工艺，基于不同阈值器件的阈值差原理实现的超低功耗电压基准电路。电路实现了213mV的低基准电压输出，在原有亚阈值电路研究的基础上，添加超低功耗运
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文章提出了一种采用标准CMOS工艺，基于不同阈值器件的阈值差原理实现的超低功耗电压基准电路。电路实现了213mV的低基准电压输出，在原有亚阈值电路研究的基础上，添加超低功耗运放电路，降低了输出电压的线性调整率。电路中所有器件都工作在亚阈区，实现了超低功耗，在0.8V工作电压温度190℃时的功耗仅为80nW。在20至190℃范围内，平均温度系数约为16.5ppm/℃，在0.8到4V工作电压范围内，线性调整率为0.044%/V。电源抑制比为73dB@100Hz，核心电路版图面积约为0.0144mm2。
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