基于双端口RAM的MOS电阻阵控制器的设计

来源 :航空兵器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yiyiyaya13575

【摘要】

：

提出一种满足每秒100 Hz帧频的MOS电阻阵控制器的设计.它采用双端口RAM存储器,并用双倍存储器作为数据缓冲区,使得成像计算机和数据处理电路可同时对数据缓冲区进行交替工作,

【作者】

：

黄明孙力

【机构】

：

中国空空导弹研究院,西北工业大学

【出处】

：

航空兵器

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

双端口RAM 红外热图像帧频设计 MOS 电阻阵控制器战术导弹武器系统仿真试验

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提出一种满足每秒100 Hz帧频的MOS电阻阵控制器的设计.它采用双端口RAM存储器,并用双倍存储器作为数据缓冲区,使得成像计算机和数据处理电路可同时对数据缓冲区进行交替工作,保证了MOS电阻阵每秒100帧的刷新速率.

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