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期刊论文
IEGT的高温特性与闩锁失效分析
IEGT的高温特性与闩锁失效分析
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xumin7777
【摘 要】
:
介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利用ISE软件模拟了IEGT在高温下的导通特性、
【作 者】
:
王彩琳
贺东晓
【机 构】
:
西安理工大学,江苏宏微科技有限公司
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
功率半导体器件
电子注入增强型栅极晶体管
高温
闩锁
失效分析
power semiconductor device
injection enhancement
【基金项目】
:
the Special Science and Technology Plan of Education Bureau of Shaanxi Province;
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介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利用ISE软件模拟了IEGT在高温下的导通特性、阻断特性和开关特性,分析了IEGT在高温下的失效原因,提出了改善其高温安全工作区(SOA)的措施.
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