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利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系。根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性。