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采用10keVX射线，对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射，分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明，对于NMOSFET，On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件。
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响
【摘 要】
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采用10keVX射线，对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射，分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,华南理工大学微电子研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2008年2期
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