【摘 要】
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以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2Gy，而MTM（Metal-To-Metal）反熔丝0．6和0．25pm工艺RTS4SX的总剂
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,西华大学电气信息学院
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以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2Gy，而MTM（Metal-To-Metal）反熔丝0．6和0．25pm工艺RTS4SX的总剂量效应，器件表现出好于1000Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
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