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基于90 nm GaAs PHEMT工艺设计了一款二次倍频器芯片,通过探针台对芯片性能进行了评估。倍频器芯片输入频率为9~15 GHz,输出频率为18~30 GHz。芯片电路中包含了输入、输出两级驱动放大器、一个二次倍频器和一个带通滤波器,可以实现将典型输入功率为3 dBm的9~15 GHz的输入信号倍频输出为功率大于15 dBm的18~30 GHz的二倍频输出信号,并且输出的二倍频信号对基波信号的抑制度可以达到30 dBc以上。倍频器芯片的尺寸为1.9 mm×1.2 mm。