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【摘 要】
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高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线和大面积生产的特点,以常压化学气相沉积法研究了TiSi2在玻璃基板上生长、制备及其与性能间的关系.研究发现:反应在温度低于680℃时,为反应控制;在高于680℃时,为传质控制.在700℃,Si/Ti摩尔比为3时,生成的TiSi2为低电阻的正交面心晶型(C54)TiSi
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;南昌大学化学工程系,南昌,330029 浙江大学
【出 处】
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中国真空学会第六届全国会员代表大会
【发表日期】
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2004年1期
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