一种补偿宽频带小数N频率合成器中Sigma-Delta整形噪声的新方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:upskycx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
提出了一种部分补偿Sigma Delta调制器整形噪声的新方案.通过在鉴频鉴相器中的延迟时段向无源滤波器中注入补偿电流,最大可实现16dB的噪声补偿.与其他补偿方案相比,文中提出的方案相对简单和易于实现.特别设计了可变延迟的鉴频鉴相器和补偿电流源,并给出了行为级和电路级的仿真结果.
其他文献
根据RTD峰值电压Vp与串联电阻Rs、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻Rs的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出Vp与Rs,Rex关系的推导,Rs测量原理
根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀
MEMS器件的封装效应显著而复杂,其中由贴片封装引起的结构热失配是封装效应的主要成因.论文在前期封装-器件耦合行为模型的基础上,利用激光多普勒测振仪实验验证了贴片工艺的热致封装效应对固支梁器件性能的影响.结果表明,贴片前后固支梁的谐振频率发生显著变化,并沿芯片表面表现出明显的分布特征.考虑封装效应的理论模型可以较好地预测该结果,为MEMS系统的器件-封装协同设计提供理论指导.
制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果