【摘 要】
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由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5 5 12)表面自组装纳米线的候选材料.本研究试用不同的银覆盖度和退火温度制作高纵横比的银纳米线.当覆
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由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5 5 12)表面自组装纳米线的候选材料.本研究试用不同的银覆盖度和退火温度制作高纵横比的银纳米线.当覆盖度为0.1单原子层,先后两次退火温度分别为500℃和600～700℃,经缓慢冷却过程,非常规则的银链优先吸附在Si(5 5 12)面的四聚体上,从而形成高纵横比的银纳米线.这一自组装的两步退火过程可理解为:低温退火使吸附的银原子与Si表面结合;高温退火提供银原子扩散到Si表面四聚体位置的能量.
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