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达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的，一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的，比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益（hVE），集电极电流VS，输入级电流，以及集电极-射极饱和电压和集电极电流之间的关系。
达林顿晶体管的PSpice建模和仿真
【摘 要】
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达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的，一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的，比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益（hVE），集电极电流VS，
【机 构】
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上海交通大学,英特尔产品上海有限公司
【出 处】
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山西电子技术
【发表日期】
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2008年6期
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