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在Ｎ－Ｓｉ（１００）衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构，研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系，研究结果表明，在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加，为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ∝Ｆ＾２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２．Ｊ