SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xdzc2009cccc

【摘要】

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利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1.10eV的a峰、能量为0.77eV

【作者】

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李映雪张兴黄如王阳元罗晏

【机构】

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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室!北京100875北京大学微电子研究所,北京100871,北京大学微电子研究所!北京100871,北京大学微电子研究所!北京100871,北京大学微电子

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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光致发光谱 SIMOX SOI SIMS 残余氧

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利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1.10eV的a峰、能量为0.77eV的b峰和能量为0.75eV的c峰．与RBS谱相比，发现a峰峰高及b/a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度．谱峰b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧，起施主作用．SIMS测试结果显示，谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮．

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