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阻断能力是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的一个重要参数指标，阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例，对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析，通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟，并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目，提高了IGBT的阻断能力，为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果，在场限环宽度分别为24μm，21μm，18μm，15μm，场限环间距为3μm，4μm，5μm，6μm，场限环数目为4个时，得到的阻断电压达到1240V。