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用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0．96外延层载流子浓度的温度依存性表明，其室温禁带宽度为0．1055eV，与透射光谱测得的数值很好地一致。通过测量12-300K的吸收光谱，研究了InAS0．04Sb0．96／GaAs的禁带宽度的温度依存性。霍尔测量得出300K下样品的电子迁移率为4．47×100cm^2