新一代3.3kV IGBT模块的开发

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大功率应用需要具有低功耗、高可靠性的高压IGBT(HVIGBT)模块。然而这些特性通常是相互制约的,为达到均衡的性能,三菱电机开发出一种精细平面型MOS栅轻穿通HVIGBT(FP-LPT-HVIGBT)与具有高短路承受能力的软反向恢复高压二极管(SR-HVDi)组合的新型结构。采用这种新硅片组合的新一代3.3kV HVIGBT模块能在降低功率损耗的同时提高额定电流。 High-power applications require high-voltage IGBT (HVIGBT) modules with low power consumption and high reliability. However, these characteristics are usually mutually constrained. In order to achieve balanced performance, Mitsubishi Electric has developed a fine planar MOS gate-on HV HVBB (FP-LPT-HVIGBT) and soft reverse recovery high-voltage diode with high short-circuit withstand capability SR-HVDi) combination of the new structure. The new generation 3.3kV HVIGBT module with this new silicon combination increases the rated current while reducing power dissipation.
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