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随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小，数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路，单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法，主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性，设计电路中MOS管的尺寸，使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手，计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数，得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容，再折算到器件电容上，最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础，提供了良好的