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本辑是采用有税源的化学汽相淀积（CVD）技术专辑，而有机源尤指四乙氧基硅烷Si（OC2H5）4——tetraethoxysilane，缩写简称TEOS。采用TEOS的CVD技术有TEOS－O3系常压CVD技术，TEOS－O3系等离子CVD技术，TEOS－H2O系LPCAD（低压CVD）技术，偏压ECR（电子回旋共振）CVD技术……。这些新的CVD技术的开发旨在解决深亚微米（＜0．5um）的成膜质量、台阶复盖性及平坦化问题。由于大规模集成电路的不断高集成化、加工微细化、多层布线及结构三维化，使得各和股的台阶