二氧化硅磨料粒径分布对蓝宝石化学机械抛光的影响

来源 :电镀与涂饰 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lvyuguo_sh

【摘要】

：

针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的SiO2磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果.结果表明,将粒径为120 nm的40％(质量分数)硅溶胶与粒径为30 nm的20％(质量分数)硅溶胶按体积比8:2混合作为磨料对蓝宝石晶圆进行CMP时,去除速率最高,抛光后蓝宝石晶圆的表面粗糙度(Ra)低至0.158 nm,无明显的划痕、划伤等缺陷.

【作者】

：

孙运乾钟荣峰李薇薇赵之琳钱佳

【机构】

：

河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401;广东惠尔特纳米科技有限公司,广东东莞 523000

【出处】

：

电镀与涂饰

【发表日期】

：

2021年21期

【关键词】

：

蓝宝石晶圆化学机械抛光二氧化硅粒径分布去除速率表面粗糙度

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