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研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺ＣＭＯＳ运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示，虽然对单管特性而言，干氧工艺具有较强的掏辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力，但由于在过程中氧化物电荷的形成发迹了电路的对称性，因而对电路造成行氢氧合成工艺更大的损伤。表明，适当的界面态的引入，有利于增加负载电流镜的饱和工作范围，从而降低电路的辐射敏感性。