ISM频段中功率功率放大器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jundy123

【摘要】

：

采用三指单胞的InGaP／GaAs HBT提取的大信号模型参数，设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器·通过对传统偏置网络的优化，消除了小信号下的增益压缩．在3．5V电压下，该放大器

【作者】

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白大夫刘训春袁志鹏钱永学

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,中国科学院研究生院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

异质结双极型晶体管功率放大器偏置网络增益压缩静态偏置电流 heterojunction bipolar transistor power amplifi

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~

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采用三指单胞的InGaP／GaAs HBT提取的大信号模型参数，设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器·通过对传统偏置网络的优化，消除了小信号下的增益压缩．在3．5V电压下，该放大器的最大线性输出功率为30dBm，增益达到29·1dB，对应的功率附加效率为43．40，临近沟道抑制比达到-100dBc，而静态偏置电流很低，只有109．7mA．

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