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研究了超薄栅(2．5nm)短沟HALO-pMOSFETs在Vg=Vd／2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性，随着应力电压的变化，器件的退化特性也发生了改变，在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命．在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的，随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的，最后，给出了两种退化机制的临界电压并在实验中得到验证。