【摘 要】
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采用光学方法确定InAs/GaAs单量子点在样品外延面上的位置坐标,利用AlAs牺牲层把含有量子点的GaAs层剥离并放置在含有金纳米颗粒或平整金膜上,研究量子点周围环境不同对量子
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
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采用光学方法确定InAs/GaAs单量子点在样品外延面上的位置坐标,利用AlAs牺牲层把含有量子点的GaAs层剥离并放置在含有金纳米颗粒或平整金膜上,研究量子点周围环境不同对量子点自发辐射寿命及发光提取效率的影响.实验结果显示,剥离前后量子点发光寿命的变化小于13%,含有金纳米颗粒的量子点发光强度是剥离前的7倍,含有金属薄膜的量子点发光强度是剥离前的2倍.分析表明在金纳米颗粒膜上的量子点荧光强度的增加主要来自于金纳米颗粒对量子点荧光的散射效应,从而提高量子点发光的提取效率.
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