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利用0．5pmGaAsPHEMT技术研究了适用于单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端的关键工艺，解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题，包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明，工艺技术完全满足单片设计要求，研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb／s和2．5Gb／s非归零（NRZ）伪随机二进制序列（PRBS）调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。