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由电子波干涉的观点出发，理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发，量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致，并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.
GaAs／AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉
【摘 要】
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由电子波干涉的观点出发，理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发，量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算
【机 构】
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山东大学光电材料与器件研究所,山东大学晶体材料所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2001年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金，山东省自然科学基金
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