T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:beargtg
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
给出了考虑梁的轴向载荷情况下理论计算公式的推导过程,在变形较大时两种公式计算结果最大相差9.65%.用LPCVD技术制作了几种大小不同的T形梁结构,给出了残余张应力与杨氏模量比值。
其他文献
研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于L—M(Levenberg—Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取
DC-DC芯片设计中有许多内部参数需要检测和控制,有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难.文中提出一种通用性很强的内建可测性设计方法,在芯片内部设计时只需要增加规模较
随着网络、尤其是移动网络的快速发展,我国高校思想政治教育网站在大学生思想政治教育领域已经基本得到普及。然而,这些平台都或多或少地存在着认可度不高、吸引力不足等问题。
民族文化典籍作为对外传播中华民族文化的一种载体,其外译工作越来越重要。这为高校MTI教学以及人才培养提出了新要求。本文以云南为例,从MTI教学理念出发,探讨在云南省MTI研究