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利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了A1GaInAs／A1GaAs分别限制压应变单量子阱材料，利用该材料制成3mm宽、填充因子20％的半导体激光器阵列（版型100μm／500ham，6个发光单元），通过腔面反射率设计确定了最佳反射率，采用CS载体标准封装。在输入电流8A、水冷19℃条件下测试，输出功率达到8．4W，阈值电流为1．8A，斜率效率为1．26W／A，功率转换效率为59．4％，波长为805．7nm，光谱半宽为1．8nm；输入电流12A时，输出功率达到13W，斜率效率为1．22W／A，