Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fwj108580853

【摘要】

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利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜.通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响.实验结

【作者】

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王健健白华许高博李梅毕津顺

【机构】

：

天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;中国科学院微电子研究所,北京100029;天津工业大学电子与信息工程学院,天津,300387;中国科学院微电子研究所,北京,100029

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2019年3期

【关键词】

：

铪锆氧铁电电容机械夹持剩余极化强度矫顽电压

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利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜.通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响.实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达31.7 μC/cm2,矫顽电压约为1.6V,电学性能明显提高.在150℃高温下,Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的电学性能仍然良好,证明了退火工艺和机械夹持工艺对电学性能的优化作用.

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