论文部分内容阅读
采用不同条件电化学沉积法在氧化铟锡（IT O ）导电玻璃基底上自组装生长了一维ZnO阵列。利用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM ）对其结构和形貌分别进行表征。结果表明，以种晶预生长时间为40 s的样品为衬底，Zn2＋浓度为0.005 mol/L ，CTAB浓度为0.005 mol/L ，HMT浓度为0.01 mol/L ，沉积时间为10 min ，沉积电位为0.90 V条件下，能够制备出高度取向且致密的一维氧化锌阵列。