智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：seraph_gigi

【摘要】

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基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智

【作者】

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李泽宏王小松王一鸣易坤张波李肇基

【机构】

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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,中国电子科技集团第24研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2007年12期

【关键词】

：

智能功率集成电路高压SENSFET Double RESURF JFET

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:60436030);国防基础科研基金(批准号:A1120060490)资助项目~~

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基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENSFET的击穿电压为700V,线性区电阻为10kΩ.设计分析和实验结果吻合得很好.借助该SENSFET器件可以很好地实现智能功率集成电路中高压器件的信号检测和电路的自供电功能.

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