用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hufeng274240003

【摘要】

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用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明，当光电导开关处于3.33～10.3kV／cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单脉冲能量0．2nJ的激光脉冲照射时，开关表现为线

【作者】

：

施卫贾婉丽

【机构】

：

西安理工大学应用物理系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2003年10期

【关键词】

：

半绝缘GAAS 光电导开关 EL2深能级 semi-insulating GaAsphotoconductive switchEL2 deep level

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 770 17)~~

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用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明，当光电导开关处于3.33～10.3kV／cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单脉冲能量0．2nJ的激光脉冲照射时，开关表现为线性工作模式，开关输出峰值电压为0．8mV．分析表明，开关对波长为1553nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用．

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