【摘 要】
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以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响. XRD分析表明所有薄膜的衍射峰
【基金项目】
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国家自然科学基金(41105107);陕西省教育厅科学研究计划基金(2013JK0617)
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以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响. XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以（002）面为主,Al靶功率为25 W时（002）面衍射峰强度最大,此时薄膜结晶性最佳; AES分析表明随着Al靶功率的增大,Al含量由0 at.%增至18. 01 at.%,Zn含量则由72. 51 at.%降至38. 39 at.%,而O含量没有太大变化,这说明Al可以取代ZnO中Zn的位置;霍尔效应测量表明Al靶功率为25 W时电阻率最小,约为7. 75×10-4Ω·cm,而载子浓度及其迁移率则达到最大,分别约为9. 35×1020cm-3与8. 64 cm2/（V·s）;分光计测量表明薄膜在可见光区的平均透射率可约达90%以上,说明本研究制备的Al掺杂ZnO薄膜是具有高透射率的透明导电薄膜.
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