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GaAs（110）衬底上生长GaAs外延层时，不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式，对应反射高能电子衍射（RHEED）强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜（TEM）、室温和低温光荧光谱（PL谱）对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明，量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差，单层生长模式下光学性能比较好，但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点，采用RHEED强度振荡技术，能够实现在GaAs（110）衬底上生长高质量量子阱。