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【摘 要】
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提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻。MEDICI TCAD仿真结果表明:在281V
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2013年04期
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